NE5532DR
NE5532DR
NE5532DR
Part Number:
NE5532DR
Manufacturer:
Description:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Encapsulation:
Package:
Cut Tape (CT)
Quantity:
17838
RoHS Status:
Supported
Share:
PDF:
RFQ
Stock
MOQ: 1
Qty
Price
Total
1+
$0.4
$0.4
10+
$0.27
$2.7
25+
$0.24
$6
100+
$0.21
$21
250+
$0.19
$47.5
500+
$0.18
$90
1000+
$0.17
$170
حالة القطعة
Active
نوع المضخم
Standard
عدد الدوائر
2
نوع الإخراج باللغة العربية
-
نوع التثبيت
Surface Mount
الحزمة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأقصى)
30 V
درجة حرارة التشغيل
0°C ~ 70°C (TA)
المورد الجهاز الحزمة
8-SOIC
الجهد - نطاق الإمداد (الحد الأدنى)
10 V
التيار - انحياز الإدخال
200 nA
الجهد - إزاحة الإدخال
500 µV
معدل الانحدار
9V/µs
التيار - الإمداد
8mA (x2 Channels)
منتج كسب عرض النطاق
10 MHz
التيار - الإخراج / القناة
38 mA
Latest Products
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (