LT1122CCN8#PBF
LT1122CCN8#PBF
LT1122CCN8#PBF LT1122CCN8#PBF
Номер детали:
LT1122CCN8#PBF
Производитель:
Описание:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
233
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$11.32
$11.32
10+
$7.7
$77
50+
$6.18
$309
100+
$5.69
$569
250+
$5.24
$1310
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C
Тип монтажа
Through Hole
Корпус
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Статус детали
Active
Тип вывода
-
Напряжение - Максимальный диапазон питания
36 V
Поставщик Устройство Корпус
8-PDIP
Количество схем
1
Тип усилителя
J-FET
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
10 V
Скорость нарастания
75V/µs
Напряжение - Входное смещение
130 µV
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
13 MHz
Ток - Входное смещение
12 pA
Ток - Питание
7.8mA
Новейшие продукты
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (