NE5532DR
NE5532DR
NE5532DR
Номер детали:
NE5532DR
Производитель:
Описание:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
17838
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$0.4
$0.4
10+
$0.27
$2.7
25+
$0.24
$6
100+
$0.21
$21
250+
$0.19
$47.5
500+
$0.18
$90
1000+
$0.17
$170
Статус детали
Active
Тип усилителя
Standard
Количество схем
2
Тип вывода
-
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Напряжение - Максимальный диапазон питания
30 V
Рабочая температура
0°C ~ 70°C (TA)
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
10 V
Ток - Входное смещение
200 nA
Напряжение - Входное смещение
500 µV
Скорость нарастания
9V/µs
Ток - Питание
8mA (x2 Channels)
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
10 MHz
Ток - Выход / Канал
38 mA
Новейшие продукты
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (