TL082BCDR
TL082BCDR
TL082BCDR
Номер детали:
TL082BCDR
Производитель:
Описание:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
5442
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1.2
$1.2
10+
$0.86
$8.6
25+
$0.78
$19.5
100+
$0.69
$69
250+
$0.65
$162.5
500+
$0.62
$310
1000+
$0.6
$600
Статус детали
Active
Количество схем
2
Тип вывода
-
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Напряжение - Максимальный диапазон питания
30 V
Рабочая температура
0°C ~ 70°C
Поставщик Устройство Корпус
8-SOIC
Тип усилителя
J-FET
Скорость нарастания
13V/µs
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
10 V
Ток - Входное смещение
30 pA
Напряжение - Входное смещение
2 mV
Ток - Выход / Канал
10 mA
Ток - Питание
1.4mA (x2 Channels)
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
3 MHz
Новейшие продукты
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (