硅电容器
硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
CAP SILICON 0.7PF 50V 0402
CAP SILICON 4.7PF 5% 25V 0402
CAP SILICON 6.8PF 5% 25V 0402
CAP SILICON 0.9PF 50V 0402
CAP SILICON 0.8PF 50V 0402
CAP SILICON 8.2PF 5% 25V 0402
CAP SILICON 5.6PF 5% 25V 0402
CAP SILICON 8.2PF 5% 25V 0402
CAP SILICON 0.5PF 50V 0402
CAP SILICON 0.6PF 50V 0402
CAP SILICON 0.7PF 50V 0402