NE5517D
NE5517D
NE5517D NE5517D
Номер детали:
NE5517D
Производитель:
Описание:
IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Статус детали
Obsolete
Тип вывода
Push-Pull
Количество схем
2
Тип монтажа
Surface Mount
Рабочая температура
0°C ~ 70°C
Напряжение питания - Диапазон (Мин.)
4 V
Напряжение - Максимальный диапазон питания
44 V
Скорость нарастания
50V/µs
Поставщик Устройство Корпус
16-SOIC
Корпус
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип усилителя
Transconductance
Произведение коэффициента усиления на полосу пропускания
2 MHz
Напряжение - Входное смещение
400 µV
Ток - Питание
2.6mA
Ток - Входное смещение
400 nA
Ток - Выход / Канал
500 µA
Новейшие продукты
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (